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IGBT單管
產品狀態
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封裝
TO-247
集電極-發射極電壓VCES min.(V)
650
1200
集電極電流IC @ TC=80℃(A)
10
15
20
25
30
40
50
60
75
飽和壓降VCE(sat)typ.(V)
1.6
1.65
1.7
1.85
1.9
開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
1.37
1.8
2.21
2.87
2.95
3.09
3.9
3.95
8.8
最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
0.3
0.35
0.48
0.5
0.65
0.69
0.75
0.8
重置
型號
規格書
集電極-發射極電壓VCES min.(V)
集電極電流IC @ TC=80℃(A)
飽和壓降VCE(sat)typ.(V)
開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
封裝
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